布鲁塞尔时间2026年7月27日上午,欧盟委员会正式对外公布《欧洲芯片法案》第二阶段投资计划(Chips Act Phase 2),将在未来三年内投入120亿欧元,用于建设两条先进制程试验生产线、设立半导体人才专项基金,并资助2nm以下制程关键技术的研发。这是继2023年《芯片法案》第一阶段(总投入约430亿欧元)后的又一项重大举措,标志着欧盟在半导体自主化道路上从“补贴建厂”向“技术攻坚与人才储备”的纵深推进。

二期计划聚焦三大核心领域

据欧盟内部市场专员蒂埃里·布雷顿(Thierry Breton)在布鲁塞尔新闻发布会上的陈述,二期计划围绕“先进制程试验线”“量子及异构集成研发”“半导体人才培育”三大主轴展开。

  • 先进制程试验线:将在德国德累斯顿和法国格勒诺布尔分别建设一条3nm/2nm混合键合试验线,用于初期工艺验证与良率提升,避免直接商业化建厂带来的高昂试错成本。试验线预计2028年投产,面向欧洲本土设计企业及中小型创新公司开放使用。
  • 量子与异构集成研发:投入20亿欧元,资助基于硅基自旋量子比特的量子芯片、以及Chiplet(芯粒)异构集成技术的突破。此举旨在抢占下一代计算架构的制高点。
  • 人才培养专项:设立“欧洲半导体学院”,联合英飞凌、恩智浦、意法半导体以及多所理工大学,计划到2030年培养5万名高级工程师和2万名技术工人,弥补欧洲半导体领域每年约1.2万人的人才缺口。

减少对亚洲依赖的战略意图

欧盟委员会发布的《半导体供应链风险评估报告》指出,目前欧洲对亚洲制造的芯片依赖度仍然很高,特别是在28nm以下先进制程领域,超过80%的供应来自台积电和三星。虽然此前英特尔、台积电已宣布在德国和法国设厂,但项目进度因成本超支和基建瓶颈多次延宕。二期计划通过“公共试验线”的方式,由欧洲本土组织和研究机构主导,降低对外资企业建厂进度的依赖。

“我们必须掌握先进的制造能力,不能将数字主权完全寄托于外部供应商。”布雷顿表示,“二期计划不是简单的建厂补贴,而是构建一个从基础研究、工艺开发到人才储备的完整创新链。”

产业界反应积极,但隐忧犹存

欧洲半导体行业协会(ESIA)当天发表声明,对二期计划表示欢迎,认为试验线模式能有效分担中小设计公司的流片成本,促进生态系统繁荣。英飞凌CEO表示:“欧洲需要自己的纳米级工艺验证平台,否则设计出来的架构永远无法得到最优化实现。”

不过,也有分析师指出隐忧。首先是120亿欧元的总规模相比第一阶段有所缩减,而先进制程试验线的造价常超100亿欧元,资金是否足够仍存疑。其次,欧洲在极紫外光刻机(EUV)等关键设备上高度依赖ASML,而ASML本身即是荷兰企业,设备出口管制与美国保持协调,这在一定程度上限制了研发自由度。此外,欧盟内部“核算法案”(Chips Act)与《欧洲绿色协议》之间存在政策协调的必要——芯片制造的高耗水、高耗电特性与碳中和目标有一定冲突。

对全球半导体竞争格局的影响

业内分析人士认为,欧盟二期计划将进一步加剧全球半导体“地区化”(Regionalization)趋势。此前,美国已通过《芯片与科学法案》投入约520亿美元,日本设立了约3万亿日元的半导体基金,韩国也推出了“K-半导体战略”。欧盟此次加码,标志着主要经济体均将半导体视为战略性基础设施,补贴竞赛进入“深水区”。

对于新加坡半导体企业而言,欧盟技术自立可能带来两方面影响:短期看,欧洲客户对成熟制程和特殊工艺芯片的需求仍将依赖亚太代工厂;但长期看,欧洲先进制程试验线的开放模式将提升本土设计能力,可能削弱新加坡晶圆厂在高端逻辑芯片上的竞争优势。另一方面,新加坡在半导体设备、材料以及人才储备方面仍然保持较强竞争力,可关注与欧洲在先进封装和化合物半导体等领域的合作机会。

时间表与下一步

根据规划,二期计划的资金将在2026年第三季度至2029年第二季度间分批拨付。欧洲议会和欧盟理事会仍需在2026年10月前审议通过相关预算修正案。此外,欧盟还将同步推进《外国补贴条例》,对在欧建厂的芯片企业设置“技术成果本地化”要求,防止仅将欧洲作为组装基地。

布雷顿在发布会最后强调:“欧洲要在2030年前实现全球芯片产能占比20%的目标,必须现在就行动。二期计划是我们的一条新起跑线。”